▶ 단일 인덕터 아키텍처로 VIN이 규제된 VOUT보다 높거나 낮거나 같을 수 있음 ▶ 동기 정류: 최대 98% 효율 ▶ 넓은 VIN 전압 범위: 5~70V ▶ ±1% 출력 전압 정확도: 1V ≤ VOUT ≤ 70V ▶ DCR 또는 RSENSE 전류 감지 ▶ 벅/부스트/벅-부스트 모드에서 피크 전류 모드 제어 ▶ 프로그래밍 가능한 입력 또는 출력 전류 조절 ▶ 7V NMOS 게이트 드라이버 ▶ 위상 잠금 가능 주파수(100kHz~600kHz) ▶ 다상/다중 IC 병렬 작동 ▶ 선택 가능한 연속 또는 펄스 스키핑 모드 작동 및 인덕터 피크 전류 제한 ▶ 소형 32리드 5mm × 5mm QFN 패키지
▶ V OUT 클램프가 고전압 입력 서지를 차단합니다. ▶ 정상 작동시 100 % 듀티 사이클 패스 스루 모드 ▶ 과전압 또는 과전류 과도 및 오류시 및 기동 중 스위치 ▶ 고효율 스위칭으로 장시간 서지 보호 및 높은 출력 전류 가능 ▶ 넓은 VIN 범위 : 4V ~ 140V (최대 150V Abs) ▶ 가변 출력 전압 클램프 최대 60V ▶ 조정 가능한 출력 과전류 보호 ▶ RSENSE 또는 인덕터 DCR 전류 센싱 일반 모드에서 입력 EMI를 감소시키는 전원 인덕터 ▶ 돌입 전류 제한을위한 가변 소프트 스타트 ▶ 프로그래머블 고장 타이머 ▶ 오픈 드레인 오류 경고 표시기 ▶ 고장시 듀티 사이클 재 시도 2.7 % ▶ 가변 스위칭 주파수 : 50kHz ~ 900kHz ▶ 조정 가능한 입력 전압 켜기 임계 값 ▶ 조정 가능한 입력 과전압 록 아웃 임계 값 ▶ 20 핀 4mm x 5mm QFN 및 TSSOP 패키지
▶ 넓은 동작 VIN 범위 : 4.5V ~ 150V ▶ 넓은 VOUT 범위 : 0.8V ~ 60V ▶ 48VIN ~ 3.3V 출력을 레귤 레이트 할 때 9μA IQ ▶ 12VIN ~ 3.3V 출력을 레귤 레이트 할 때 16μA IQ ▶ 매우 낮은 드롭 아웃 동작 : 100 % 듀티 사이클 ▶ 조정 가능한 입력 과전압 록 아웃 ▶ 프로그래밍 가능한 PGOOD 저전압 모니터 ▶ RSENSE 또는 인덕터 DCR 전류 센싱 ▶ 경부 하에서 선택 가능한 고효율 Burst Mode® 동작 또는 펄스 스킵 모드 ▶ 프로그램 가능한 고정 주파수 : 50kHz ~ 850kHz ▶ 위상 고정 주파수 : 75kHz ~ 800kHz ▶ 고정 고정 소프트 스타트 및 외부 프로그래밍 가능 소프트 스타트 또는 전압 트래킹 ▶ 선택 가능한 저전압 차단 임계 값을 갖는 강력한 MOSFET 게이트 드라이버 ▶ 고전력 애플리케이션에서 게이트 드라이버 바이어스 용 외부 NMOS 옵션
▶ 넓은 VIN 범위 : 4.5V ~ 140V (최대 150V Abs) ▶ 넓은 출력 전압 범위 : 1V ≤ V OUT ≤ 60V ▶ 낮은 동작 IQ : 16μA (48V IN ~ 12V OUT 및 3.3V OUT) ▶ 조정 가능한 게이트 드라이브 레벨 최대 10V ▶ 선택적 스펙트럼 확산 작동 ▶ 매우 낮은 드롭 아웃 : 100 % 듀티 사이클 동작 ▶ 드롭 아웃시 낮은 IQ : 78μA (1 채널 온) ▶ R SENSE 또는 인덕터 DCR 전류 센싱 ▶ 위상차 컨트롤러가 필요한 입력 커패시턴스 및 전원 공급 장치 유도 잡음을 줄입니다. ▶ 위상 고정 주파수 (75kHz ~ 720kHz) ▶ 프로그램 가능한 고정 주파수 (50kHz ~ 750kHz) ▶ 경량에서 연속, 펄스 스킵 또는 저 리플 Burst Mode® 동작 선택 가능 ▶ DRV CC를위한 온 보드 LDO 또는 외부 NMOS LDO ▶ EXTV CC LDO로 V OUT에서 드라이버 전력 공급 ▶ 프로그래밍 가능한 입력 과전압 록 아웃 ▶ 48- 리드 (7mm × 7mm) eLQFP 패키지
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